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IXFN30N120P
30
25
Fig. 7. Input Admittance
35
30
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
20
T J = 125oC
25oC
- 40oC
25
20
25oC
125oC
15
15
10
10
5
0
5
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
90
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
80
70
60
14
12
10
V DS = 600V
I D = 15A
I G = 10mA
50
8
40
30
T J = 125oC
6
20
10
0
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
10,000
f = 1 MHz
Ciss
1.000
0.100
1,000
Coss
0.010
100
Crss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_30N120P(97) 4-01-08-C
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